600V CoolMOS™ S7
600 V CoolMOS™ S7 高压超结 MOSFET 系列适用于在低频开关应用中具有最佳性价比
600 V CoolMOS™S7高压超结MOSFET系列以最佳价格为低频开关应用提供最佳性能
英飞凌的高性能CoolMOS™SJ MOSFET技术可以轻松设计新的高功率产品，提高速度和卓越的质量。S7系列高压超结mosfet通过将22mOhm芯片独特地安装到创新的小型TO-leadless (TOLL) SMD封装中，为功率密度设定了新的基准。
此外，该产品系列的一个亮点是QDPAK封装，它有顶部封装和底部封装两种型号，其特点是RDS(on)低至前所未见的10 mOhm，即IPDQ60R010S7和IPQC60R010S7。
低频开关的最佳之选
英飞凌的 600 V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 非常适用于低频开关场合，如有源桥式整流、逆变级、浪涌继电器、PLC、功率-固态继电器和固态断路器。对于固态继电器和固态断路器的设计， 英飞凌的 CoolMOS™ S7 MOSFET 与其他的 CoolMOS™ 系列超结 MOSFET，IGBT，OptiMOS™ 低压和中压 MOSFET、电隔离栅极驱动器和PVI（光伏隔离器）互补。
优化的技术–卓越的性能和成本效益
通过专注于与开关损耗无关的应用，CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 剥离了与开关性能相关的功能，因此具有优化的成本定位，同时达到了非常低的 RDS(on) 值。CoolMOS™ S7 MOSFET 基于英飞凌 CoolMOS™ 7 技术成功的技术优化，该技术从器件中删除了与开关性能有关的冗余功能，因为在低频开关应用中不需要这些功能。因此，它是低导通损耗且价格最优应用的理想 MOSFET。此外，还能提供最佳的性能并保证英飞凌的高质量标准。
关键性能
- SMD 封装中同类最佳 RDS(on)
- 最佳超结 MOSFET RDS(on)
- 导通性能经过优化
- 改善热阻
- 高脉冲电流性能
- 交流线路换相时体二极管的稳定性
主要优势
- 导通损耗最小
- 提升能效
- 设计更紧凑、轻便
- 消除或减少了固态设计中的散热器
- TCO 成本或 BOM 成本降低
长久以来，实现低成本、高效能并非易事。通过在 PFC 整流桥中将 CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 与二极管并联或替代二极管，只需少量的设计工作，即可使 PFC 效率提高 1% 左右。这是实现钛金效率水平的理想解决方案，同时可以控制成本并缩短上市时间。
英飞凌 CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 在图腾柱 PFC 拓扑结构中是对 增强型CoolGaN™ HEMTs 的完美补充， 可充分获得最高 99% 的效率水平，并将 SMPS 系统设计推向下一代超高效率平台。
借助英飞凌 CoolMOS™ S7 MOSFET，现在可以改进受浪涌机电继电器保护的系统的设计。使用 CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 替代浪涌机电继电器，不仅可以节省空间，又不会增加整体导通损耗。系统的功率密度从而得以大幅提升，同时又保持其能源效率不受影响。
英飞凌 CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 是一种在成本方面优化的超结技术，可有效地替代机电继电器和断路器或改进现有的固态设计。
与机电器件相比，CoolMOS™ S7 的优势：
- 开关速度更快
- 在整个使用寿命内，不会出现触点电弧、跳动或导通电阻衰退现象
- 确保系统更加可靠，并显著延长系统的使用寿命
- 抗冲击和振动，并对位置不敏感
- 可静音运行
S7 SJ MOSFET 的应用有利于对位置和振动不敏感的解决方案的使用，从而提高了最终系统的易用性和可靠性。
与 SCR、TRIAC 和高压平面 MOSFET 替代硅器件相比，CoolMOS™ S7 器件的优势：
- 提高系统效率
- 允许使用更小型的散热器（体积减小 40%-80%）
- 支持更便捷、更高效的热管理
- 实现更高的系统额定电流，而无需更改系统外形和环境条件
- 开关速度比 TRIAC 更快
- 易于并联
- 实现全固态断路器
