45V-80V N-沟道功率 MOSFET-英飞凌infineon官网

英飞凌提供多款不同产品，涵盖各型号器件：

• 60 V N 沟道 MOSFET
• OptiMOS™ 5 60 V N 沟道 MOSFET
• 60 V StrongIRFET™ N 沟道 MOSFET
• 逻辑电平 OptiMOS™ 和 IR MOSFET 60 V/80 V
• OptiMOS™ 5 80 V N 沟道 MOSFET

英飞凌旗下拥有丰富的 45 V-80 V N 沟道 MOSFET 产品，可满足工业和汽车应用的需求。以下可了解有关各型号产品的更多信息。

60V N 沟道 MOSFET

英飞凌 60 V N 沟道 MOSFET 系列产品采用了 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 硅晶粒技术，可应对高低开关频率要求。 60 V MOSFET 产品系列提供表面贴装和插件件，各类电源需求均能满足。

此外，英飞凌还提供多种功能强大且结构紧凑的 OptiMOS™ 50 V、55 V 和 60 V N 沟道 MOSFET，包括采用 SO-8 封装的双和单 N 沟道功率 MOSFET。

OptiMOS™ 5 60 V N 沟道 MOSFET

AC-DC 产品设计人员面临着一大共同挑战，即如何在降低成本的同时，提高系统效率和功率密度。与其他器件相比，英飞凌 OptiMOS™ 5 60 V 产品组合的漏源导通电阻 (R_{DS (on)}) 低 15%，品质因数 (R_DS(on) x Q_g) 低 31%，是解决上述难题的理想之选。

OptiMOS™ 5 60 VN 沟道 MOSFET 系列除具备更高开关频率外，还可实现更高效率并大幅降低了电压过冲，因此无需配置过多缓冲电路，进而降低工程工作量和成本。

此类产品均就同步整流进行了优化，尤为适合开关模式电源 (SMPS)以及众多工业应用，如电机控制、太阳能微逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。

60V StrongIRFET™ N 沟道 MOSFET

StrongIRFET™60V MOSFET 产品组合专为各类工业应用设计，具备极低导通电阻 R_DS(on) 和高载流能力，可改善低频率应用的性能。产品系列的各个器件均在行业最高雪崩电流水平下进行了 100% 雪崩测试，确保为高要求工业应用提供稳健解决方案。器件支持通孔和表面贴装封装。

逻辑电平 OptiMOS™ 5 和 IR MOSFET™ 60 V/80 V

英飞凌的逻辑电平 60 V 和 80 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 具备低栅极电荷 (Q_g)，可在不影响导通损耗的情况下降低开关损耗，因此十分适合无线充电、适配器及电信应用。器件品质因数经改善，支持高开关频率下运行。逻辑电平 OptiMOS™ 5 和 IR MOSFET™ 产品还提供 100 V 电压等级的型号。

OptiMOS™ 5 80 V N 沟道 MOSFET

英飞凌的OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET 封装组合领先业界，旨在用于电信和服务器电源应用的同步整流，以及太阳能、低压驱动器和笔记本电脑适配器。

相较于上代产品，OptiMOS™ 5 80 V MOSFET 的 R_DS(on) 降低了 43%，并可提供 100 V 电压等级的型号。

英飞凌 45 V-80 V N 沟道 MOSFET 产品组合应用广泛，其中包括同步整流、太阳能逆变器以及电池供电应用。

汽车用 45 V-80 V N 沟道 MOSFET

英飞凌旗下拥有型号丰富的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品，均已通过汽车标准认证。欲查找更多产品，请浏览汽车 MOSFET 页面。