IPW65R022CFD7A
综述
650 V CoolMOS™ N 沟道车规超结功率 MOSFET CFD7A
采用 TO-247-3 封装的 22 MΩ IPW65R022CFD7A 为车规 650 V CoolMOS™ 超结功率 MOSFET CFD7A 系列产品。与上代产品相比，CoolMOS™ CFD7A 的可靠性更强，功率密度更高，为设计带来了更大的灵活性。
特征描述
- 通过 AEC-Q101 认证
- 电池电压高达 475 V，不影响可靠性
- 将软硬开关拓扑的效率提升至 98.4%
- 相较于 CoolMOS™ CFDA，本征快速体二极管的 Qrr 降低了 30%
优势
- 高现场可靠性，满足汽车使用寿命要求
- 可实现高功率密度设计
- 设计用于 PFC 和 DC-DC 级，支持扩展
- 可提供细分产品组合
潜在应用
- 车载充电器
- 硬开关拓扑（采用碳化硅二极管）
- PFC 升压级
- 车载充电器的 DC-DC 级
- 高压-低压 DC-DC 转换器
- LLC 或全桥相移 (ZVS)
- 辅助电源
视频
培训
- Get to know Infineon’s Automotive MOSFET data sheet
- Improve your understanding of the parameters and diagrams in the document, which will help you better evaluate the device’s limits and capabilities
- Know more about Infineon’s wide MOSFET selection for 48 V mild-hybrid electric vehicle, or MHEV, applications
- Understand why and how Infineon is strengthening its position in the 40 V MOSFET market, and be familiar with Infineon’s newest 60 V MOSFETs
Are you looking for a power MOSFET alternative and want to see what Infineon can offer? It has never been easier.
质量
支持
