IPB65R660CFDA
综述
650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求,还集成快速体二极管。
特征描述
- 市场首款 650V 汽车应用技术,集成体二极管
- 硬换向期间限制电压过冲——自限制 di/dt 和 dv/dt
- 低栅极电荷值 Q g
- 体二极管重复换向 Q rr 低且 Q oss 低
- 减少导通和关断延迟时间
- 符合 AEC Q101 标准
优势
- 阻断电压更高,提高安全裕度
- 降低电磁干扰,易于设计导入
- 提高轻载效率
- 开关损耗低
- 开关频率更高并且/或者占空比更高
- 高质量和可靠性
潜在应用
- 单向和双向直流-直流转换器
- 电池充电器
- HID 照明
视频
培训
- Get to know Infineon’s Automotive MOSFET data sheet
- Improve your understanding of the parameters and diagrams in the document, which will help you better evaluate the device’s limits and capabilities
- Know more about Infineon’s wide MOSFET selection for 48 V mild-hybrid electric vehicle, or MHEV, applications
- Understand why and how Infineon is strengthening its position in the 40 V MOSFET market, and be familiar with Infineon’s newest 60 V MOSFETs
Are you looking for a power MOSFET alternative and want to see what Infineon can offer? It has never been easier.
质量
支持