IPB65R115CFD7A
综述
650V CoolMOS™ N 沟道汽车级SJ 功率 MOSFET CFD7A
D2PAK 3 引脚封装中的 115mOhm IPB65R115CFD7A 是汽车级认证 650V CoolMOS™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款产品。与上一代产品相比,CoolMOS™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度,同时增强了设计灵活性。
特征描述
- 符合 AEC-Q101 认证标准
- 电池电压高达 475V 且毫不影响可靠性标准
- 硬开关和软开关拓扑效率提升高达 98.4%
- 固有快速体二极管的 Qrr 比 CoolMOS™ CFDA 低 30%
优势
- 在满足汽车寿命要求方面具有行业最高可靠性
- 实现更高功率密度设计
- 可扩展设计用于 PFC 和 DC-DC 级
- 提供丰富的产品组合
潜在应用
- 车载充电器
- 硬开关拓扑(带 SiC 二极管)
- PFC 升压级
- 车载充电器的 DC-DC 级
- HV-LV DC-DC 转换器
- LLC 或全桥移相 (ZVS)
- 辅助电源
视频
培训
- Get to know Infineon’s Automotive MOSFET data sheet
- Improve your understanding of the parameters and diagrams in the document, which will help you better evaluate the device’s limits and capabilities
- Know more about Infineon’s wide MOSFET selection for 48 V mild-hybrid electric vehicle, or MHEV, applications
- Understand why and how Infineon is strengthening its position in the 40 V MOSFET market, and be familiar with Infineon’s newest 60 V MOSFETs
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支持