AUIRL7736M2TR

AUIRL7736M2 结合最新的汽车 HEXFET® 功率 MOSFET 硅技术和先进的 DirectFET® 封装技术，实现优异性能，封装仅为 SO-8 或 5X6mm PQFN，外形仅 0.7mm。DirectFET® 封装兼容电源应用、PCB 装配设备和蒸汽相、红外线或对流焊接技术中所使用的现有布局几何形状，随附应用说明 AN-1035 提供制造方法和工艺相关信息。DirectFET® 封装支持双侧冷却，大幅降低汽车电源系统中的热传递。

该 HEXFET® 功率 MOSFET 设计用于注重效率和功率密度的应用。先进的 DirectFET® 封装平台结合最新的硅技术，使 AUIRL7736M2 在系统层面节省资源，获得性能改进，特别是高频直流-直流、电机驱动应用和 ICE、HEV 以及 EV 平台上的其他重负载应用。AUIRL7736M2 可与 AUIRL7732S2 同时使用，在降压转换器拓扑中组成同步/控制 MOSFET 对。该 MOSFET 采用最新工艺技术，实现极低导通电阻和每单位硅面积 Qg。该 MOSFET 其他特性包括 175°C 工作节温和高重复峰值电流能力。这些特性使该 MOSFET 成为高效、稳定、可靠的大电流汽车应用器件。