汽车级MOSFET
适用于汽车应用的 N 沟道、P 沟道和双通道 MOSFET 种类繁多的功率 MOSFET 均已通过 AEC-Q101 以上的认证
汽车MOSFET可提高性能和安全性
通过使用英飞凌汽车功率MOSFET之类的高质量器件，工程师和汽车制造商可将MOSFET相关故障降至最低。我们对客户成功和道路安全的承诺体现在以下几点：所有以我们的名字命名的汽车MOSFET都保持最高的质量标准，远远超过AEC-Q101。
符合汽车标准的OptiMOS™功率MOSFET产品组合提供20 V至300 V的标准质量、坚固耐用的封装和RDS(on)低至 0.4 mΩ。
OptiMOS™ 7为未来的汽车应用设定了新标准，与具有最小尺寸的创新、坚固的封装相结合，可实现最高的功率效率、更低的开关损耗和更大的SOA。
我们不断提供最新的汽车MOSFET产品，这些产品基于英飞凌领先的MOSFET技术、卓越的品质和坚固的封装，具有卓越的性能：
- 领先的 RDS(on) 沟槽技术的性能
- 标准封装中具有最高电流能力
- 最低的开关和传导功率损耗
- 坚固的封装技术
创新且坚固耐用的汽车MOSFET产品
结合传感器、微控制器和其他所需的半导体解决方案，英飞凌提供各种汽车MOSFET，这些产品都是凭借数十年的专业知识开发的。
我们全面的汽车MOSFET产品组合包括采用各种封装的 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET。 根据您的应用需求，您可以找到满足要求的单管、双半桥和顶部冷却的封装。
sTOLL - 高达 250 A 的汽车应用的完美选择
我们的sTOLL采用 7 x 8 mm 的高功率无引脚封装，采用 OptiMOS™-5 40 V 和 OptiMOS-6™ 40 V，适用于今后的汽车应用（JEDEC 名称为 MO-319，IEC 名称为 HSOF-5）。
采用各种封装的 P 沟道和 N 沟道汽车 MOSFET
P 沟道 MOSFET：我们的汽车 P 沟道功率 MOSFET 产品组合采用采用 OptiMOS™ -P2 和 Gen5 技术的引线封装，提供 30 V、40 V、55 V 和 150 V 两种电压，在40V具有世界上最低的RDS(on) 和最高电流能力。
N 沟道 MOSFET：我们的汽车 N 沟道 MOSFET 提供极高的设计灵活性，可满足广泛的设计需求。MOSFET 提供从 3 x 3 mm 到 10 x 15 mm 不等的一系列封装， 可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外，用于 40 V 电机驱动应用的半桥封装，以及用于最高功率密度应用的 10 x 15 mm 的新型顶部冷却 SSO10T、5 x 7 mm 封装或顶部冷却 TOLT，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和额外冷却组件的成本。
高效可靠的汽车 SiC MOSFET
碳化硅 (SiC) MOSFET 为汽车应用提供高效率和可靠性。 英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET系列包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块。
这些用于汽车行业的碳化硅MOSFET可提供最佳性能和最高的可靠性，并且节省了更多的空间和重量。
英飞凌汽车 MOSFET 用于驱动各种应用中的电机，例如泵、风扇、通风、座椅调节或天窗。 它们还用于安全关键型应用，例如电动助力转向 (EPS)、电动制动和喷射系统。 此外，它们还可用作车载充电器、高压/低压 DC/DC 转换器、电池管理系统和逆变器的开关。
关键点：我们在所有汽车应用的封装中配备了合适的 MOSFET。
创新且具有成本效益的集成半桥封装解决方案
双 SSO8 5 x 6 mm 封装非常适合单负载。对于桥接应用，使用双 MOSFET 的布线非常复杂，需要很大的印刷电路板面积。此外，双 SSO8 封装的额定电流限制在 20 A 以内。
使用集成的半桥可以大大缩小 PCB 面积，因为它为桥接应用提供了增强的布线。新设计的半桥基于经过优化的OptiMOS™ 6技术。该产品组合提供RDS(on) 从 3.0 mΩ 到 7.0 m范围，并将数据表额定电流提高到 60 A。
潜在应用：电机控制、车窗升降器、车身控制模块 (BCM)、驻车制动器和座椅控制模块
产品主要特点：
- 集成式半桥 SSO8（5 x 6 mm）
- 占地面积减少了 5 x 6 mm，优化了 B6 应用程序的布局
- 最新的 OptiMOS™ 6 40 V 针对开关和功率损耗进行了优化
- 已列出的JEDEC 封装
- 低功率和中功率驱动器的成本效益
- Cu-clip 焊接
- 桥接应用的布线需要相当大的 PCB 面积
- R DS（on） 范围 3.0 mΩ 至 7.0 mΩ
- 数据表额定电流提高到 60 A
因为精准地了解了汽车制造商和消费者在当下和未来的需求和期望，英飞凌车规级MOSFET优于AEC-Q101认证标准。尽管该标准本身就颇具价值，但对我们来说还远远不够。
通过了解AEC-Q101的薄弱环节，我们作此选择的原因就十分显而易见了：一方面，该标准并没有涵盖非典型或严格的工作情况，也没有跟踪制造过程中的稳定性；另一方面，它并未将低于10000 dpm考虑在内。相比之下，我们的车规级MOSFET更为可靠，实现<0.1dpm。
为什么英飞凌要超越AEC-Q101呢？这是因为对高质量标准的追求，已经渗透了英飞凌的每一个角落，即便它意味着不断突破与超越。在这种情况下，我们唯有超越标准，才能打造更清洁（通过减少碳排放）和更安全（通过（半）自动驾驶功能）的汽车。我们严格的产品认证流程可确保汽车制造商获得最可靠的性能。
通过将领先的技术与坚固耐用的封装相结合，我们的MOSFET可确保在一系列汽车应用中发挥出色的性能。不仅如此，您和您的客户还可尽享以下优势：
Infineon offers a wide product porftolio of automotive MOSFETs, covering a voltage range of 20V up to 800V. The product portfolio consists of:
- Be familiar with Infineon’s measures to reduce the failure rate and to prove the quality level of a product
- Identify the right product based on given target application requirements
- Get to know today`s fast growing automotive MOSFET market.
- Know more about Infineon`s wide MOSFET selection for 48 V mild-hybrid electric vehicle, or MHEV, applications.
- Learn how Infineon defines a true culture of quality.
- Get to know Infineon`s Zero Defect approach and how Infineon goes beyond the requiriments when it comes to automotive MOSFET qulification.
- Get to know Infineon’s Automotive MOSFET data sheet.
- Improve your understanding of the parameters and diagrams in the document, which will help you better evaluate the device’s limits and capabilities.
- Know the different 48 V applications for the new drivetrain architectures.
- Get an overview of Infineon`s comprehensive MOSFET portfolio.
- Have an overview of the converters needed in electric vehicles.
- Analyze the 2-quadrant converter topology in buck and boost mode and the half-bridge converter with center tap rectification topology.
- Recognize the different types of setups in the data sheets.
- Be able to calculate the junction-to-ambient thermal resistance value, the power losses, and the static DC current.
