600V CoolMOS™ S7A
出色的 RDS(on) * 适用于低频开关汽车应用的超结 MOSFET
600 V CoolMOS™S7高压超结MOSFET系列以最佳价格为低频开关应用提供最佳性能
英飞凌的高性能CoolMOS™SJ MOSFET技术可以轻松设计新的高功率产品,提高速度和卓越的质量。S7系列高压超结mosfet通过将22mOhm芯片独特地安装到创新的小型TO-leadless (TOLL) SMD封装中,为功率密度设定了新的基准。
此外,该产品系列的一个亮点是QDPAK封装,它有顶部封装和底部封装两种型号,其特点是RDS(on)低至前所未见的10 mOhm,即IPDQ60R010S7和IPQC60R010S7。
CoolMOS™ S7A 产品系列基于对知名 CoolMOS™ 7 技术的成功工艺优化,摒弃了与开关性能相关但在低频开关应用中不需要的多余功能。因此,英飞凌这一新技术不仅能优化成本,亦可兼顾质量或性能,其设计旨在满足远超 AEC-Q101 标准的高水平汽车质量要求。
QDPAK 创新型顶部冷却技术采用 SMD 封装,可在大尺寸芯片中实现市场上的极低 RDS(on)。得益于其内置的第 4 引脚开尔文源极配置和低寄生源极电感,器件可显著降低开关损耗,同时增强可控性与易用性。产品所用冷却设计可实现电路板和半导体的热解耦,进而提高芯片温度,为系统设计人员提供较高的 PCB 设计灵活度。
关键特性 | 主要优势 |
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CoolMOS™ S7A 是适用于高压电子断开装置和高压电熔丝的半导体解决方案。该产品满足了电动汽车在可靠性(免维护)、灵活且高成本效益的系统集成、可扩展性和抑制故障传播方面的需求。
CoolMOS™ S7A 在车载充电器的 PFC 级上有着显著优势。通过将 ALR(有源线路整流)配置的二极管桥更换为 S7A,典型升压 PFC 拓扑的效率即可提高 0.5%,功率损耗则可降低 30%。
- Recognize the different types of setups in the data sheets
- Be able to calculate the junction-to-ambient thermal resistance value, the power losses, and the static DC current
本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用;并列出了当前可用的产品系列,以及您可以通过使用该封装获得哪些好处。
- 详细了解英飞凌为 48 V 微混电动汽车(MHEV)应用提供的丰富MOSFET选择
- 了解英飞凌为何以及如何加强其在40 V MOSFET市场的地位,并了解英飞凌最新的60 V MOSFET
- 了解英飞凌的“零缺陷”方法以及英飞凌如何在车规级MOSFET认证方面超越要求
- 了解英飞凌“零缺陷”方法的两个维度,该方法旨在通过详细探索每个维度来延长产品寿命,并减少随机故障
您是否在寻找功率MOSFET的替代品,并想看看英飞凌能提供些什么? 这比你想象的还要简单!