800V CoolMOS™ P7
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该技术可充分优化关键参数,实现同类中较为优异的的效率和热性能。在 80W LED 驱动器中的表现证明,该技术相较于市面上竞争对手的技术,可以把Eoss和Coss降低 45% 以上、让Ciss和 QG 得到显著改善,同时使轻载条件下的效率提高 0.5%,有助于减少终端应用的闲置功耗。满载条件下,观察到效率提高 0.3%,器件温度降低 6°C。
EMI 是一个系统级指标,所以 EMI 优化只能是系统级优化。然而,对英飞凌 45W 适配器的发现 800V CoolMOS™ P7 的 EMI 性能不论与英飞凌过去的技术还是与竞争对手的技术相比不相上下。
与竞争对手的技术相比,800V CoolMOS™P7 技术可将低得多的 RDS(on)集成到包括 DPAK 在内的小封装中。最终促成了价格非常有竞争力的高功率密度设计的诞生。
CoolMOS™ P7 树立了同类中较为优异的 DPAK RDS(on) 新基准
800V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET目标应用
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