600V CoolMOS™ P7

综述

高效率和易用性之间的完美结合

600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET系列是通用系列，适用于从低功率SMPS到最高功率水平的各种应用。

在低功耗领域，它是600V CoolMOS™ CE的后续产品。对于高功率SPMS应用，它可直接代替600V CoolMOS™ P6，使它成为充电器，适配器，照明，电视电源，PC电源，太阳能，小型轻型电动车，服务器电源，电信电源，直流电动汽车（EV）充电等应用的完美选择。 600V CoolMOS™ P7是英飞凌最均衡的CoolMOS™技术，结合了易用性和卓越的效率性能。>更多详情

产品

详情

与之前的产品相比，由于Q_g和E_oss电平显著降低， R_DS（on）得到优化，所以 600V CoolMOS™P7 SJ MOSFET 可以提供更高的效率和功率密度。

精选的集成栅极电阻器能够实现非常低的振铃趋势，并且由于它的体二极管对硬换相有着出色的鲁棒性，所以适用于硬开关以及像LLC这样的开关拓扑。

此外，其优秀的 ESD 功能有助于提高制造质量。600V CoolMOS™P7 提供范围广泛的 R_DS（on）/封装组合，包括 THD 以及 SMD 器件，其 R_DS（on）粒度为 24mΩ - 600mΩ，而且与所有 600V CoolMOS™产品一样，在性价比上极具竞争力。

核心功能

具有卓越的换相坚固性，因此适用于硬开关（PFC和LLC）
效率与易用性的优化平衡
开关损耗和导通损耗显着降低，所以 MOSFET 温度也有所降低
所有产品都具有>2kV (HBM) 的优良ESD 坚固性
与竞品相比，具有更好的 R_{DS (on）}/封装
具有粒度 RDS（on）选择的大型产品系列适用于各种工业和消费类应用

核心优势

通过低振铃趋势和 PFC 及 PWM 阶段的使用，实现易用性和快速设计
由于具有低开关损耗和导通损耗，所以效率得到提高并且散热管理得到简化
由于>2kV，所以制造质量更高
ESD保护
通过使用封装更小的产品实现高功率密度的解决方案
适用于各种应用和功率范围

与竞品相比，600V CoolMOS™P7 的效率提高达1.5％，MOSFET温度降低达4.2°C。与前代CoolMOS™系列和竞品相比，其栅极电荷Q_g和E_oss降低了 30-60％，因此驱动损耗和开关损耗得以降低，从而在各功率等级可以实现高效率。此外，优化的R_DS（on）可以实现更小的封装和更高的功率密度。

目标应用

Infineon button CoolMOS P7 superjunction MOSFET

Infineon button 700V CoolMOS P7 superjunction MOSFET

推荐文档

文件

评估板

软件和工具

仿真工具

视频

CoolMOS™ 7 SJ MOSFETs – in the heart of power

2:36

CoolMOS™ 7 is the latest generation of high voltage superjunction MOSFETs from Infineon, setting new standards for energy efficiency, power density and ease-of-use. Watch this video to learn more about CoolMOS™ 7 SJ MOSFETs. www.infineon.com/coolmos

Welcome to the Infineon power lab!

2:23

In our state-of-the-art power lab we run a broad variety of tests every day to provide technical support to our customers and also to benchmark our CoolMOS™ devices against competition. Look around!> Watch in RU language