600V CoolMOS™ P7

600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET系列是通用系列，适用于从低功率SMPS到最高功率水平的各种应用。

在低功耗领域，它是600V CoolMOS™ CE的后续产品。对于高功率SPMS应用，它可直接代替600V CoolMOS™ P6，使它成为充电器，适配器，照明，电视电源，PC电源，太阳能，小型轻型电动车，服务器电源，电信电源，直流电动汽车（EV）充电等应用的完美选择。 600V CoolMOS™ P7是英飞凌最均衡的CoolMOS™技术，结合了易用性和卓越的效率性能。>更多详情

与之前的产品相比，由于Q_g和E_oss电平显著降低， R_DS（on）得到优化，所以 600V CoolMOS™P7 SJ MOSFET 可以提供更高的效率和功率密度。

精选的集成栅极电阻器能够实现非常低的振铃趋势，并且由于它的体二极管对硬换相有着出色的鲁棒性，所以适用于硬开关以及像LLC这样的开关拓扑。

此外，其优秀的 ESD 功能有助于提高制造质量。600V CoolMOS™P7 提供范围广泛的 R_DS（on）/封装组合，包括 THD 以及 SMD 器件，其 R_DS（on）粒度为 24mΩ - 600mΩ，而且与所有 600V CoolMOS™产品一样，在性价比上极具竞争力。

与竞品相比，600V CoolMOS™P7 的效率提高达1.5％，MOSFET温度降低达4.2°C。与前代CoolMOS™系列和竞品相比，其栅极电荷Q_g和E_oss降低了 30-60％，因此驱动损耗和开关损耗得以降低，从而在各功率等级可以实现高效率。此外，优化的R_DS（on）可以实现更小的封装和更高的功率密度。