IPU80R600P7
综述
效率和散热性能的新基准
800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足性能，易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用，包括适配器和充电器，LED驱动器，音频SMPS，辅助和工业电源。
与其前代产品相比，这一新产品系列可提供高达0.6％的效率增益；与典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品想相比，MOSFET温度降低2°C至8°C。它还通过降低开关损耗和改善DPAK R DS（on）产品，实现更高功率密度的设计。总而言之，这有助于客户节省物料成本，减少组装工作量。
特征描述
- 同类中较为出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss
- 同类中较为出色的 DPAK R DS（on） 280mΩ
- 同类中较为出色的 V (GS)th，3V，和最小 V (Gs)th 变动 ± 0.5V
- 集成齐纳二极管 ESD 保护，最高可达 2 级（HBM）
- 出色的质量和可靠性
- 完全优化的组合
优势
- 相比于 CoolMOS™ C3，它具有 0.1% 至 0.6% 效率增益并使 MOSFET 温度降低 2°C 到 8°C
- 可实现更高功率密度设计、节约更多 BOM 以及更低的装配成本
- 易于驱动和设计
- 通过减少ESD相关故障，提高产量
- 减少生产问题，减少外部退货
- 易于选择合适的零件来优化设计
潜在应用
视频
培训
质量
支持
