IPZA60R120P7

综述

优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性

600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。

特征描述

效率 

  • 600V P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G

使用方便 

  • 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)

  • 集成栅极电阻器 R G

  • 坚固体二极管

  • 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线

  • 标准级和工业级部件可供选择

优势

效率 

  • 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率

使用方便

  • 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性

  • 集成R G降低 MOSFET 振荡敏感度

  • MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑

  • 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性

  • 广泛适用于各种终端应用和输出功率

  • 可选部件适用于消费和工业应用

潜在应用

  • 电视电源

  • 工业 SMPS

  • 服务器

  • 通信

  • 照明

2EDN-EiceDRIVER

适用于 MOSFET 的EiceDRIVER™ 1EDN 和 2EDN 栅极驱动器

下载栅极驱动器 IC综述

 

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培训

600V CoolMOS™ P7超级结MOSFET

效率与易用性的完美结合

700V CoolMOS™ P7超级结MOSFET

面向5W至75W级低功率应用

800V CoolMOS™ P7超级结MOSFET

面向适配器、照明、辅助电源和工业SMPS等应用

支持