IPL60R140CFD7

综述

英飞凌对谐振高功率拓扑结构的解答

600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。

特征描述

  • 超快速二极管
  • 一流的反向恢复电荷(Qrr)
  • 改善的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 强度
  • 极低的 FOM RDS(on) x Qg 和 Eoss
  • 一流的 RDS(on)/封装组合

优势

  • 一流的硬换向强度
  • 谐振拓扑高可靠性
  • 高效与高易用性/性能的协调
  • 实现更高功率密度的解决方案

潜在应用

服务器、 电信、 EV-充电、 SMPS、 PC 电源

Perfect match! 2EDN EiceDRIVER™ family

Enabling optimized system solutions for high power designs

视频
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培训

Si, SiC or GaN? The right choice for power devices

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Watch our webinar to discover more about technological positioning of silicon versus SiC and GaN power devices for both high and low power applications.

600V CoolMOS™ CFD7产品

Si | SiC | GaN Positioning in ACDC applications

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