IPI60R190C6
综述
CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效，结构紧凑、重量更轻、温度更低。
- 600V CoolMOS™ C6 可替代 600V CoolMOS™ C3
- 650V CoolMOS™ C6 可替代 650V CoolMOS™ C3
特征描述
- 易于控制开关行为
- 由于非常低的品质因数（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此损耗极低
- 非常高的换流坚固性
- 使用简便
- 与 C3 相比，具有更高的轻载效率
- 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性
- 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比，性价比更高
- 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低
优势
- 提升功率密度
- 提升可靠性
- 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用
- 提高轻载效率
- 提高在硬开关应用中的效率
- 改进了易用性
- 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引发的振荡
潜在应用
视频
质量
支持
