600V-800V N-Channel Automotive MOSFET

综述

在汽车应用领域的激烈竞争中，CoolMOS™ 高压超结功率 MOSFET 助您一臂之力

CoolMOS™ 车用超结 MOSFET 可满足如车载充电器、直流-直流转换器 HV-LV和辅助电源等电动汽车应用的需求。  秉承零缺陷的理念，我们先进的产品超出了 AEC-Q101 汽车质量标准，并在高性能、低成本和高交付可靠性之间取得平衡。
我们的全系列产品让创新方案成为现实，不仅支持全新的系统优化方式，也帮助世界各地的工程师们取得设计上的成功。

  • 600V CoolMOS™ S7A ——是低频开关应用的理想之选，如高压电熔丝、高压电子断开装置和车载充电器
  • 650V CoolMOS™ CFD7A—英飞凌最新产品系列，集成快速体二极管，是硬开关拓扑和谐振开关拓扑、车载充电器、直流-直流转换器 HV-LV 和辅助电源的理想之选
  • 650V CoolMOS™ CFDA— 集成快速体二极管，是谐振开关拓扑、LLC 或全桥相移 ZVS 直流-直流转换器和 HID 灯的理想之选
  • 600V CoolMOS™ CPA— 是硬开关拓扑和车载充电器 PFC 升压级的理想之选
  • 800V CoolMOS™ C3A— 支持汽车辅助电源中日益增高的系统电压需求
产品
亮点
Infineon CoolMOS™ automotive packages
Product tree 600-800V CoolMOS™ N-channel superjunction MOSFETs for automotive applications

关键性能

应用

600V CoolMOS™ S7A

  • 出色的 RDS(on): 10 mΩ
  • SMD 封装中最小的 RDS(on)
  • 针对导通性能进行优化
  • 耐热性提高
  • 高脉冲电流能力
  • 交流线换向时的体二极管鲁棒性
  • 开尔文源极概念
  • 高压电熔丝
  • 高压电子断开装置
  • 有源线路整流中位于 PFC 级低频开关支路的车载充电器 

650V CoolMOS™ CFD7A

  • 电池电压可达 475V，同时不影响可靠性
  • 软硬开关拓扑效率可提升至 98.4%
  • 采用开尔文源极概念，可进一步提升效率
  • 与 CoolMOS™ CFDA 相比，本征快速体二极管的 Qrr 降低了 30%

650V CoolMOS™ CFDA

  • 集成快速体二极管
  • 硬换向期间限制电压过冲——自限制 dI/dt 和 dV/dt
  • 体二极管重复换向 Qrr 低且 Qoss 低

600V CoolMOS™ CPA

  • 封装具有极低的RDS(on) 
  • 最低栅极电荷值Qg
  • 硬开关拓扑（带碳化硅二极管）
  • 车载充电器的 PFC 升压级

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