650V CoolMOS™ CFD7A

综述

CoolMOS™ N 沟道汽车级SJ 功率 MOSFET CFD7A

电动汽车不再只是一个流行词语。汽车行业这一强劲势头反映了未来十年全球电动汽车的销量预测， 并呈现出一个明显趋势：电气化普及之势已然到来。展示技术、质量和生产方面的深厚专业知识 最新硅基 650V CoolMOS™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 经过专门优化，可以满足电动汽车应用 （如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源）的要求。凭借其在汽车行业积累的 10 余年经 验，CoolMOS™ CFD7A 不仅具有远超 AEC Q101 标准的卓越质量，还兼具无与伦比的专有技术。CoolMOS™ CFD7A 系列在高度自动化的 300mm 生产线上制造而成，能够在批量生产中实现零缺陷目标，同时满足不断增长的市场需求

 

产品
亮点
Infineon CoolMOS™ CFD7A features benefits

关键性能

  • 电池电压高达 475 V 且毫不影响可靠性标准
  • 硬开关和软开关拓扑效率提升高达 98.4%
  • 进一步提升效率的开尔文源极概念
  • 固有快速体二极管的 Qrr 比 CoolM OS™ CFDA 低 30%

主要优点

  • 在满足汽车寿命要求方面具有行业最高可靠性
  • 实现更高功率密度设计
  • 可扩展设计用于 PFC 和 DC-DC 级
  • 提供丰富的产品组合

潜在应用

实现更紧凑、性能更卓越的汽车应用

高功率密度成就更紧凑的设计

 

CoolMOS™ CFD7A 在硬开关和谐振开关拓扑中，尤其是轻负荷条件下具有较大改进，令效率更上一 层楼。与之前几代产品相比，其在相同栅极损耗的水平下可实现更高的开关频率；而且，此组合极具前 景，使 CFD7A 成为减少系统重量和空间以实现更紧凑设计的关键因素

CoolMOS™ CFD7A and CFD7 efficiency graph

符合汽车寿命要求的出色可靠性 更高的设计灵活性和可扩展性

由于宇宙辐射鲁棒性增强，CoolMOS™ CFD7A 技术能够应用更高的蓄电池电压，同时具有与前几代产品及其他市场产品相同的可靠性。

得益于固有快速体二极管和广泛的产品组合，CFD7A 器件可用于 PFC 和 DC-DC 级。

除了技术外，我们的封装也是成就卓越效率和热性能的关键要素

结合使用英飞凌的 650V CoolMOS™ CFD7A 技术和 D2PAK 7 引脚封装时，更出色的效率和热性能将令客户获益匪浅。
与 D2PAK 3 引脚相比，D2PAK 7 引脚（开尔文源极引脚）中使用的开尔文
源极概念克服了源极电感引起的局限性，并提升了开关性能。因此，系统级别（特别是高电流下）的优点是降低了开关损耗和热量。此外，漏极和源极/栅极之间的爬电距离增加到 4.2mm ，有助于在高达 475V 的蓄电池电压等级下使用器件。

Infineon CoolMOS™ PFC-CCM-efficiency-CFD7A-CFDA-D2PAK-7-pin
视频

CoolMOS™ CFD7A - On the fast lane in automotive applications

The newly released HV SJ power MOSFET series, CoolMOS™ CFD7A, merges unrivaled technology know-how with the proven Infineon automotive quality standards - going beyond AEC-Q101. The intrinsic fast body diode and the higher efficiency levels make it a sound device for PFC / DC-DC stages. Typical battery system voltages up to 475 V can be reached and the reduced switching losses result in excellent light- / full-load efficiency. On-board charger designs will become more compact and high-performing.

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