OptiMOS™线性FET 100V/150V/200V

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将低RDS(on)与宽安全工作区(SOA)相结合

Header_OptiMOS_Linear_FET_2p

 

OptiMOS™线性FET是一种变革性方法,利用增强型MOSFET在饱和区域中的工作可避 免对导通电阻(R DS(on))和线性模式功能进行取舍。它同时具有了沟槽MOSFET一流的 R DS(on)和经典平面型MOSFET的宽安全工作区的特点。

 

该产品非常适合通常用于通信和电池管理系统的 热插拔和电熔丝应用。OptiMOS™线 性FET通过限制高冲击电流 防止损坏负载。

主要特性 主要优势 应用
  • 低R DS(on) 和宽安全工作区(SOA) 的结合
  • 较高的最大脉冲电流
  • 较高的连续脉冲电流
  • 稳健的线性模式操作
  • 低导通损耗
  • 更高的冲击电流使启动速度更快,关闭时间更短

 

安全工作区(SOA)比较

OptiMOS™ 5 100V,1.7 mΩ的功率MOSFET的安全工作区为0.5A,在相同R DS(on)上的 OptiMOS™线性FET版本提供11.5A的更宽的SOA(安全工作区)(@ 54V, 10ms)。

 

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   Linear_FET_graph1_CH

在R DS(on)性能上面, OptiMOS™线性FET 100V 比起最佳替代产品的要降低高达 58%。此外,在48V到56V的电压下(通信系统中的典型输出电压范围)测量可以得 到更宽的SOA。


OptiMOS™线性FET有三种电压等级可 供选择:100V, 150V和200V,分别都有 D 2PAK或D 2PAK 7pin的封装。

 

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Linear_FET_graph2_CH

产品系列 OptiMOS™线性FET 100V, 150V和200V

点击产品类型了解更多信息、下载数据手册和订购

电压等级 [V]

封装 产品类型

R DS(on) (max.)

@ V GS = 10V [mΩ]

SOA @ 56V, 10ms [A]

100

D 2PAK 7pin

IPB017N10N5LF

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1.7 10.2
D 2 PAK

IPB020N10N5LF*

 
2.0 10.2
D 2 PAK

IPB033N10N5LF

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3.3 7.0
150 D 2 PAK

IPB048N15N5LF

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4.8 10.8
D 2 PAK

IPB083N15N5LF

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8.3 5.6
200 D 2 PAK

IPB110N20N3LF

Buy Online

11.0  8.7

*coming soon

 


Product Brief

Title Size Date Version
251 KB 25 七月 2017 01_00

Application Notes

Title Size Date Version
2.6 MB 25 七月 2017 01_00
663 KB 01 十二月 2012 01_00
7 MB 25 六月 2015 01_00
2 MB 01 十二月 2016 01_00

Product Selection Guide

Title Size Date Version
22.2 MB 21 二月 2017 00_00
1.1 MB 15 九月 2015 01_00

Application Brochure

Title Size Date Version
199 KB 18 九月 2017 02_00

Additional Product Information

Title Size Date Version
126 KB 25 七月 2017 01_00
  eLearning Datasheet explanation

Datasheet parameters and diagrams explanation - how to use them in applications

Reading datasheets is sometimes a challanging task. In this training some important datasheet parameters and diagrams are explained more in detail.

OptiMOS™线性FET 将低R DS(on)与宽安全工作区相结合

该视频提供了新的OptiMOS™线性FET的概述,该FET将现代沟槽MOSFET的低R DS(on)与平面MOSFET的宽安全工作区(SOA)相结合。

 

OptiMOS™线性FET非常适合电信和电池管理应用。

 
 

 

s1LFET

技术营销培训课程将介绍OptiMOS™ 线性 FET

在本次会议中,专家Andy Muggeridge概括介绍了OptiMOS™线性FET这个革命性的、兼具低R DS(on)和高线性模式功能的概念。该产品组合是电信和电池管理应用的理想选择。

 

本次培训涉及以下主题:线性FET在OptiMOS™系列中的位置、产品组合、关键性能参数、主要特性和优点。

 
 
E1

本次技术培训课程将介绍OptiMOS™ 线性 FET

OptiMOS™ 线性 FET兼具平面式MOSFET的宽范围的安全操作区(SOA)以及现代沟槽式MOSFET全行业最低R DS(on)的优势,为热插拔电子熔断器和电池保护应用提供了完美的解决方案,满足低导通损耗、在处理高起动电流的同时不降低或损毁器件的要求。

 

本次培训将讲解OptiMOS™线性FET的技术原理并且展示其与标准沟槽MOSFET的关键差异

 

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