12V-250V P-Channel Power MOSFET
综述
P 沟道功率 MOSFET 可降低中、低功率应用的设计复杂度
英飞凌的 P 沟道增强型功率 MOSFET 为设计人员提供全新选择，在优化性能的同时亦可简化电路设计。P 沟道器件的主要优势在于降低中、低功率应用的设计复杂度。此类 MOSFET 尤为适合电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载切换、DC-DC 转换器及低压驱动应用。P 沟道 MOSFET 常应用于笔记本电脑、手机和 PDA 等消费电子产品。
此类 MOSFET 的可用封装包括 D²PAK、DPAK、DirectFET、IPAK、I2PAK、PQFN、SOT-223、TO-220、TO-247、SOT-23、TSOP-6 以及 SuperSO8 等。英飞凌产品表涵盖一系列高度创新的 P 沟道功率 MOSFET，其中包括 OptiMOS™ 产品系列，电压等级从 12 至 250 伏不等，可供用户查找。
有关详细信息，请下载数据表。
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 所用的电子流。在功能上，二者的主要区别在于 P 沟道 MOSFET 需要从栅极到源极的负电压 (VGS) 方可导通（而 N 沟道 MOSFET 则需要正 VGS 电压）。这一特性让 P 沟道 MOSFET 成为用于高边开关的理想器件。此外，凭借其简洁的设计构造，P 沟道 MOSFET 亦适用于空间有限的低压驱动应用和非隔离负载点 (POL)。该简化型栅极驱动技术是 P 沟道 MOSFET 的一大优势，常用于降低总体成本。
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