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综述
OptiMOS™ 源极底置功率 MOSFET 系列具有行业领先的 RDS(on) 和卓越的热性能
英飞凌的 OptiMOS™ 低压功率 MOSFET 通过源极底置技术展示了一种经过创新和改进的PQFN 封装概念。通过这种新封装,硅器件倒置在元件内部 。这样,源极电位即可通过导热垫(而非漏极电位)连接到 PCB。
25V 3.3x3.3mm是整个产品系列进入市场的第一款源极底置封装产品。从 25V 到 150V 的完整产品组合将在未来两年内全面发布。 这项新技术有两个不同的封装版本。源极底置版本和源极底置中心门极版本,后者专门针对并联应用进行了优化。与当前的解决方案相比,源极底置具有很多优势,例如更低的RDS(on)和更高的热性能。此外,通过源极底置技术可减少主动散热,并提供更有效的热管理布局。PQFN 3.3x3.3 源极底置封装的OptiMOS™低压功率MOSFET系列的目标应用包括驱动器,电信,SMPS和服务器。
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