OptiMOS™ Linear FET 100V/150V/200V

综述

将低 R_DSon与广泛的安全工作区（SOA）进行结合

OptiMOS™ 线性 FET 是一种革命性的方法，可以避免在导通电阻 (R_{DS (on)}）和线性模式功能之间进行权衡 – 在增强型 MOSFET 的饱和区域中操作。它可以提供沟槽 MOSFET新型的 R_DS（on）以及经典平面 MOSFET 广泛的安全工作区。

本产品适用于电信和电池管理系统中常见的热插拔和电熔断丝应用。OptiMOS™ 线性 FET 通过限制高浪涌电流来防止负载损坏。

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虽然 OptiMOS™5100V，1.7mΩ功率 MOSFET 具有 0.5A 的安全工作区，但同一RDS（on）水平的 OptiMOS™线性 FET 版本可以提供更广泛的 SOA，可达 11.5A（@ 54V，10ms）。

与下一个优质选择相比，OptiMOS™线性 FET 100V 可把 RDS（on）降低达 58％。因此，就实现了 48V 至 56V 更广泛的 SOA –典型的电信系统输出电压范围。

OptimoMOS ™线性 FET 可在3个电压等级 - 100V、150V 和 200V - 中使用，采用了D2PAK或D2PAK 7 pin封装。

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