IRL8114 综述 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 优势 低RDS(ON) @ 4.5V VGS 低栅极电荷 经过充分验证的电容和雪崩安全工作区( SOA) 无铅 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 指标参数 文件 订单 评估板 软件和工具 仿真工具 视频 合作伙伴 培训 包装 质量 支持 联系