IRF7907 综述 30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 SO-8 封装 优势 符合 RoHS 低 RDS(on) 对 PCB 的热阻低 与现有表面封装技术兼容 低RDS(ON) @ 4.5V VGS 极低的栅极电荷 双 N 通道 MOSFET 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 指标参数 文件 订单 评估板 软件和工具 仿真工具 视频 合作伙伴 培训 包装 质量 支持 联系