IRF7907
综述
30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 SO-8 封装
优势:
- 符合 RoHS
- 低 RDS(on)
- 对 PCB 的热阻低
- 与现有表面封装技术兼容
- 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
- 极低的栅极电荷
- 双 N 通道 MOSFET
软件和工具
质量
