BSC034N10LS5
综述
逻辑电平 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用小型封装，具有低 RDS（on）
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5（BSC034N10LS5）功率 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。它可用于 充电器、 适配器 和 电信等应用
特征描述
- 采用小型封装，具有低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 较低的输出电荷
- 逻辑电平兼容
优势
- 提高功率密度设计
- 提高开关频率
- 减少器件数量，5V 电压即可驱动
- 可直接由微控制器驱动（慢速开关）
- 减少系统成本
潜在应用
培训
质量
支持
