IRFH7190
综述
100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6 B/E 封装
优势
- 低 RDS(ON) （低于 7.5mOhms），导致更低的通态损耗
- 内部缓冲器，降低了Vds 尖峰，改善了EMI
- 对 PCB 的热阻低（低于1.2°C/W），导致功率密度增加
- 100% 经过接地电阻测试，增强可靠性
- 纤薄外形（小于1.05 毫米），导致功率密度增加
- 符合行业标准的引脚，兼容多个供应商
- 与现有表面封装技术兼容，更容易制造
- 符合 RoHS ， 无卤素，更加环保
- MSL 1 增强可靠性
- FastIRFET™
软件和工具
质量
支持
