IRFH7190

综述

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6 B/E 封装

优势

  • 低 RDS(ON) （低于 7.5mOhms），导致更低的通态损耗
  • 内部缓冲器，降低了Vds 尖峰，改善了EMI
  • 对 PCB 的热阻低（低于1.2°C/W），导致功率密度增加
  • 100% 经过接地电阻测试，增强可靠性
  • 纤薄外形（小于1.05 毫米），导致功率密度增加
  • 符合行业标准的引脚，兼容多个供应商
  • 与现有表面封装技术兼容，更容易制造
  • 符合 RoHS ， 无卤素，更加环保
  • MSL 1 增强可靠性
  • FastIRFET™
质量
支持