IRFH7190 综述 100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6 B/E 封装 优势 低 RDS(ON) (低于 7.5mOhms),导致更低的通态损耗 内部缓冲器,降低了Vds 尖峰,改善了EMI 对 PCB 的热阻低(低于1.2°C/W),导致功率密度增加 100% 经过接地电阻测试,增强可靠性 纤薄外形(小于1.05 毫米),导致功率密度增加 符合行业标准的引脚,兼容多个供应商 与现有表面封装技术兼容,更容易制造 符合 RoHS , 无卤素,更加环保 MSL 1 增强可靠性 FastIRFET™ 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 指标参数 文件 订单 评估板 软件和工具 仿真工具 视频 合作伙伴 培训 包装 质量 支持 联系