IPC331N15NM5R
综述
OptiMOS™ n 通道功率 MOSFET 150V——裸芯片
英飞凌的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 150V技术突破性地降低了 RDS(on) (与采用 SuperSO8 的竞品相比高达 25%)和 Qrr,在优化系统效率的同时有效减少了设计工作量。此外,超低反向恢复电荷(SuperSO8 中最低的 Qrr = 26nC)提高了换向坚固性。
150V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 特别适用于叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及电信和太阳能应用。产品针对同步整流进行了优化,非常适合高频开关应用。现在,通过降低开关和通态损耗、提高功率密度的举措,有效改善了系统效率。因此,并联需求减少使最终产品更坚固,从而降低了整体系统成本。
在需要并联的情况下,与之前的 OptiMOS™ 相比,OptiMOS™ 5 提供了出色的先决条件和改进的阈值电压扩展。
IPC331N15NM5R 的开发重点是模块集成,特别适用于并联 MOSFET 的模块。单片集成的栅极电阻器使并联连接的所有 MOSFET 的栅极端都可以直接互连,客户不需要在模块内部再额外使用分立电阻器。可根据要求为 RG int 进行分箱。
特征描述
- 片内集成栅极电阻针对模块中的应用进行了优化
- 超低恢复电荷 Qrr
- 超低输出电容 Coss
- 与前一代相比 RDS(on) 降低
优势
- 高系统效率
- 降低开关和通态损耗
- 并联需求减少
- 功率密度增加
- 低电压过冲
- 并联 MOSFET 在模块级能较为容易地进行栅极互连
潜在应用
质量
支持