IHV 3300 V - Infineon Technologies

综述

采用IHV封装的3.3 kV IGBT模块 – 适合高要求的牵引和工业应用的可靠、优质选择

早在上世纪90年代，我们就凭IHV为高压IGBT模块树立了标杆。在该封装技术已被所有竞争厂家采用，并部署到全世界无数应用中的多年之后，英飞凌仍在不断作出改进，并给该封装配备最新技术，以支持全世界的用户进行老旧设计的升级，并发掘新的潜能。

英飞凌3.3 kV IHV（IGBT高压）模块的广泛应用乃至市场领导地位，都离不开客户的支持；尤其要提到的是，经过数十年的现场应用证明，它们在最恶劣的环境条件下表现出最高的可靠性，同时还拥有无可匹敌的功率密度，这为它们自身的成功提供了支持。

最新的优化封装IHV-B包括两种型号（130 x 140 x 38 mm和190 x 140 x 38 mm），额定电流为825 A至2400 A，采用单开关、半桥、斩波和二极管拓扑结构：

产品

亮点

新的优化型IHV-B是该封装系列的最新升级，能轻松替代当前最佳选择（英飞凌IGBT 3），它在日常使用中的固定和变化负载条件下都能可靠运行，适用于HVDC、STATCOM、MVD、地铁、机车或高速列车等应用。

而且，它的寿命相比所有市面上的同类产品甚至英飞凌的IGBT 3产品都延长两倍，这一具有变革性的特性已经受到许多市场领先客户的追捧；通过将现今最新的高压前端和后端技术与数十年的市场领导者经验相结合，这些模块在封装尺寸相同的情况下，性能大幅提升超过40%，同时不牺牲可靠性。

Benefits IHV-B	Additional benefits Enhanced IHV-B
High DC stability Standardized housing Package with CTI > 600 Best in class current density Low switching losses Easy paralleling on VCEsat with positive temperature coefficient Best in class short circuit capability Unbeatable robustness against over load and fault conditions Safe operation up to 40y under harsh environmental conditions	Very low effort on using the advantages also in older designs 100% better Power Cycling curve Feasible and possible 1:1 replacement with standard types 40% continuous RMS current increase at same reliability Enabling 30-50% smaller inverters

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