FP50R07N2E4_B11 650 V 50 A PIM三相输入整流 IGBT模块

综述

EconoPIM™2 650 V, 50 A 三相PIM IGBT 模块，采用第四代沟槽栅/场终止 IGBT、第四代发射极控制二极管、NTC 温度检测和 PressFIT 压接技术.

特征描述

  • 阻断电压能力提高，650 V
  • 高短路能力，自限制短路电流
  • Tvj op = 150°C
  • VCEsat 具有正温度系数特性
  • 集成 温度检测NTC 温度传感器
  • 绝缘基板
  • 铜基板

优势

  • 紧凑模块的概念
  • 优化客户的开发周期，降低成本
  • 灵活的配置
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