FP10R12W1T7_B11 1200 V 10 A PIM IGBT模块

综述

是1200 V、10 A 基于EasyPIM™ 1B封装的集成三相整流与逆变单元PIM（功率集成模块）IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、第七代发射极控制二极管和PressFIT压接技术，模块内集成有NTC。 

特征描述

  • 低通态电压 VCE（sat）和Vf
  • 过载时Tvj op=175°C
  • 增强dv/dt可控性
  • 基于dv/dt = 5kV/µs，优化开关损耗
  • 8 μs 短路耐受能力
  • 改善续流二极管的软度

优势

  • 增加功率密度
  • 低损耗，符合高能效要求
  • 实现损耗与EMI之间的最佳平衡
  • 降低系统成本
图表
仿真工具
视频
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