FF75R12RT4 1200 V 75 A 双 IGBT模块

综述

34 mm 1200 V、75 A 双 IGBT 模块, 采用快速 TRENCHSTOP™ IGBT和第四代发射极控制二极管，是您设计工作的不二之选。

特征描述

  • 提高工作温度Tvj op
  • 低开关损耗
  • 低 VCEsat
  • Tvj op = 150°C
  • VCEsat 带正温度系数
  • 绝缘基板
  • 标准封装

优势

  • 灵活性
  • 优化电气性能
  • 可靠性高
图表
仿真工具
支持