FF75R12RT4 1200 V 75 A 双 IGBT模块 综述 34 mm 1200 V、75 A 双 IGBT 模块, 采用快速 TRENCHSTOP™ IGBT和第四代发射极控制二极管,是您设计工作的不二之选。 特征描述 提高工作温度Tvj op 低开关损耗 低 VCEsat Tvj op = 150°C VCEsat 带正温度系数 绝缘基板 标准封装 优势 灵活性 优化电气性能 可靠性高 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 图表 指标参数 文件 订单 评估板 软件和工具 仿真工具 视频 合作伙伴 培训 包装 支持 联系