FF50R12RT4 1200 V 50 A 双 IGBT模块

综述

34 mm 1200 V, 50 A 双 IGBT 模块，采用第四代快速沟槽栅/场终止 IGBT 和第四代发射极控制二极管，是您设计工作的不二之选。

特征描述

  • 更高的工作温度 Tvj op
  • 低开关损耗
  • 低 VCEsat
  • T vj op = 150°C
  • VCEsat 具有正温度系数特性
  • 绝缘基板
  • 标准外壳

优势

  • 灵活性
  • 出色的电气性能
  • 高可靠性
图表
仿真工具
支持