FF150R12RT4 1200 V 150 A 双 IGBT模块

综述

34 mm 1200 V, 150 A 双管 IGBT 模块，采用第四代高速 TRENCHSTOP™ IGBT和优化的发射极控制二极管，是您设计的理想选择。

特征描述

  • 扩展工作温度 Tvj op
  • 低开关损耗
  • 低 VCEsat
  • Tvj op = 150°C
  • VCEsat  带正温度系数
  • 绝缘基板
  • 标准外壳

优势

  • 灵活性
  • 优化的电气性能
  • 高可靠性
图表
仿真工具
支持