新型分立式封装

综述

用于分立式IGBT的全新TO-247 4针开尔文发射极封装

全新TO-247 4针开尔文发射极封装着重解决高能效应用在高功率密度和节约空间方面的需求。英飞凌全新TO-247PLUS封装适用于大功率应用，可用在高达120A的IGBT上，同时还集成了全额定二极管。该封装的占板空间及引脚排布与JEDEC标准的TO-247封装完全相同。

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新 TRENCHSTOP™ 高级绝缘

新的 TRENCHSTOP™高级绝缘是一种尖端的绝缘封装技术。 高级绝缘材料与高级绝缘箔相比，热阻R_th(j-h) 降低了35%，同时为芯片到热沉之间提供有效和可靠的热通路。

TO-247 4引脚S5 TRENCHSTOP™ 5封装

Product picture of TRENCHSTOP5 S5 TO-247-4-T5

新款50 A和75 A S5 650 V TRENCHSTOP™5 IGBT采用TO-247 4引脚开尔文发射极封装，在10 kHz至40 kHz中速切换区间提供最高效率。

面向1200 V IGBT的TO-247PLUS 3引脚封装

Product Picture of TO-247PLUS 3pin for 1200 V IGBT

新款TO-247PLUS封装更大的有源芯片面积可支持75 A IGBT，同时TO-247封装支持75 A二极管。TO-247PLUS更高的功率密度可用于减少并联、增加系统功率密度或系统输出功率。

面向1200 V IGBT的TO-247PLUS 4引脚封装

Product Picture of TO-247PLUS 4pin for 1200 V IGBT

作为开尔文发射极端子的第4根引脚，绕过栅极控制回路上的发射极引线电感，提高IGBT的开关速度并降低开关能量。

了解关于封装的更多信息（英文）：

相关信息

EiceDRIVER™ gate driver ICs for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs and GaN HEMTs
Concepts providing electrical performance and highest reliability without limiting the design flexibility
CIPOS™ Intelligent Power Modules in different packages, voltage and current classes.

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