IKY50N120CH3
综述
1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS package
英飞凌为 1200V IGBT 推出新开尔文发射极 TO-247PLUS 4 引脚封装，满足市场对高功率密度和极高性能分立产品的要求。TO-247PLUS 封装具有更高电流能力、改进热行为和扩展 C-E 爬电距离等主要特性。4 引脚封装配置为栅极-发射极控制环路提供超低电感，4 引脚封装直接连接栅极驱动器，同时降低 E on 和 E off 损耗，总体开关损耗 E ts 降低 20%。
特征描述
- 极低的控制电感环路，具有用于驱动器反馈的额外发射极引脚
- 与采用相同技术的 3pin 封装相比，总开关损耗降低 20％
- 高达 75 A 1200 V IGBT，与 75 A 二极管联合封装到 TO-247 中
优势
- 极高效率和极低开关损耗 1200 V IGBT
- 高功率密度 1200V 分立 IGBT
- TO-247PLUS 相比于 TO-247，其热阻 Rth（jh较低，散热能力也提高了约15％
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