IKP30N65H5
综述
650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package
高速 650 V、30A 硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 可与 TO-220 封装中 RAPID 1 快速和软反并联二极管共同封装，被定义为“同类最佳”IGBT。
特征描述
- 650V 击穿电压
- 对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列
- Qg 系数降低 2.5 倍
- 开关损耗系数降低 2 倍
- V CE (sat) 减少了 200mV
- 采用英飞凌极速硅二极管技术
- 低 C OES/E OSS
- 温和正温度系数 V CE (sat)
- Vf 的温度稳定
优势
- 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性
- 母线电压可提升 50V，同时不影响可靠性
- 更高的功率密度设计
图表
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