IKB15N65EH5
综述
英飞凌的新型TRENCHSTOP™5 IGBT 技术在硬开关应用中提供无与伦比的高效性能,重新界定了“业界卓著” IGBT 。该新系列是 IGBT 创新的一个重大突破,以满足市场未来对高效率的需求。
特征描述
- 650 V 击穿电压
对比英飞凌“HighSpeed 3”系列
- Qg 系数降低 2.5 倍
- 开关损耗系数降低 2 倍
- VCEsat 减少 200 mV
- 采用英飞凌极速硅二极管技术
- 低 C OES/E OSS
- 温和正温度系数 VCEsat
- Vf的温度稳定性
优势
- 具有出色的效率,降低结温和外壳温度,
从而提高设备可靠性 - 母线电压可提升 50 V,同时不影响
可靠性 - 更高的功率密度设计
图表
支持