IHW30N110R3
综述
1100 V IGBT,采用反并联二极管,TO-247 封装
第三代反向导通 1100V 30A TRENCHSTOP™ RC-IGBT,配有单片集成反向导通二极管,采用 TO-247 封装,经过专门优化,具有更低的开关和导通损耗。降低的功率损耗和软开关行为,有助于热性能的提升和 EMI 行为的改善,导致系统成本下降。可以更低的成本获得出色的性能。
特征描述
- 同类中优秀的 VCEsat 和 Vf 导通属性
- 极低的开关损耗,更高的效率
- 优异的热性能
- Tj(max) = 175°C
- 低 EMI 的软电流关断波形
优势
- 减少功率损耗
- 更好的热管理
- 增强浪流电流能力,降低电磁干扰滤波要求
- 降低系统成本
- 针对峰值电流的最高可靠性
潜在应用
视频
支持


