IHW15N120R3

综述

1200 V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装

第 3 代逆导型 1200 V、15 A TRENCHSTOP™ RC-IGBT3，采用单片集成逆导型二极管在 TO-247 中封装，进行优化实现了更低的开关和传导损耗。降低的功耗和软开关行为，可实现更好的热性能和电磁干扰行为，从而降低系统成本。降低成本同时实现优异性能。

特征描述

  • 一流的 VCEsat 和 Vf 传导属性
  • 开关损耗低，效率高
  • Tj(max) = 175°C
  • 低电磁干扰的软电流关断波形

优势

  • 功耗低
  • 更好的热量管理
  • 浪涌电流能力可降低电磁干扰滤波要求
  • 降低系统成本
  • 电流峰值时可实现高可靠性

潜在应用

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