IHFW40N65R5S
综述
采用TO-247先进隔离型封装的650 V/40 A IGBT
采用TO-247先进隔离型封装的650 V/40 A逆导型R5S IGBT单管。该新一代一流器件的诞生,源自TRENCHSTOP™ 5系列的业界领先性能与逆导型RC-H IGBT技术创新的结合。由于拥有单片集成二极管,该650 V R5S IGBT是电磁炉和变频微波炉等软开关应用的理想选择,且适用于也需要一些硬开关功能的设计。
该封装使得不再需要绝缘材料,它能实现高功率密度和最佳散热性能,并且,由于从IGBT裸片到散热片拥有高效且可靠的散热路径,它还能轻松实现散热。
特征描述
- 集电极-发射极饱和电压(VCEsat)最低,关断损耗(Eoff)得到优化,相比前一代最多降低30%
- 650V阻断电压
- 软开关,使得抗电磁干扰性能提升
- 硬开关功能
- 2500 VRMS的隔离电压,50/60 Hz,t = 1 min
- 100 %检验的隔离安装表面
- 无铅引线镀层;RoHS认证
- JEDEC 47/20/22的相关试验证明,达到工业应用标准
优势
- 效率一流,使得结温和壳温降低,也使器件可靠性提高
- 阻断电压可提高50V,使得可靠性提高
- 适用于拥有更高开关速度(高达40kHz)的设计
- 无需使用隔离材料和导热硅脂
- 组装时间相比采用绝缘箔片的标准TO-247封装缩短35%
- 由于消除了隔离箔片安装误差,产品良率上升
- Tc相比拥有隔离材料的标准TO-247封装最多降低10℃
- 输出电流Iout最多增加20%,使得输出功率更高
- 生产流程可控
- 容易并联
图表
支持