IGW30N60T
综述
采用 TO-247PLUS 封装的 600 V IGBT
得益于沟道单元（trench-cell）和场终止概念的结合，低损耗 600 V, 30 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT， 采用TO-247 封装，显著改善了器件的静态和动态性能。
特征描述
- 极低的压降VCEsat ，实现更低的通态损耗
- 低开关损耗
- VCEsat中的正温度系数使得开关并联更加容易
- 高坚固性，温度稳定行为
- 极低的电磁辐射 (EME)
- 低栅极电荷
- 参数分布非常紧凑
优势
- 超高效率-低导通和低开关损耗
- 600 V和1200 V的全面产品组合，可实现设计灵活性
- 器件可靠性高
图表
视频
支持
