IGW25N120H3
综述
高速 1200 V 25 A 单第三代 TRENCHSTOP™ IGBT，采用 TO247 封装，在开关和导通损耗之间实现完美平衡。该系列产品主要特性是与 MOSFET 相类似的关断开关行为，降低关断损耗。
特征描述
- 专为替代频率低于 70 kHz 应用中的平面 MOSFET 设计
- 极低的开关损耗，提高效率
- 通过著名的英飞凌 TRENCHSTOP™ 技术实现优秀的 VCEsat 行为
- 快速开关行为，低电磁干扰
- 可以选择极低的栅极电阻（低至 5Ω），同时保持优秀的开关行为
- 短路能力
- Tj(max) 175°C
- 可以选择带或不带续流二极管的封装，增加设计灵活度
优势
- 开关和导通损耗低
- 非常优秀的电磁干扰行为
- 可与小栅极电阻同时使用，缩短延迟时间，减少电压过冲
- 高电流密度
- 同类产品中优秀的 1200 V IGBT 效率和电磁干扰行为
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