IGD08N120S7 采用TO-252 3引脚封装的1200 V，8 A IGBT7 S7

综述

采用TO-252 封装的1200 V，8 A 硬开关TRENCHSTOP™ IGBT7 S7单管器件，具有低饱和压降VCEsat，可在目标应用中实现超低导通损耗。

特征描述

  • VCE = 1200 V
  • IC = 8 A
  • 低饱和压降VCEsat = 2 V（Tvj = 150°C）
  • 高抗短路能力（8 µs）
  • 宽的dv/dt 可控范围

优势

  • 面向高电压辅助电源的紧凑设计
  • 降低电磁干扰
图表
支持