IGB50N65S5
综述
650 V 50 A IGBT,采用反并联二极管,TO-263 封装
High speed 650 V, 50 A soft-switching TRENCHSTOP™ 5 in D2Pak (TO263) package IGBT, addressing applications switching between 10 kHz and 40 kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
特征描述
- 在 25°C 下,VCEsat 低至 1.35 V,比 TRENCHSTOP™ 5 H5 低 20%
- I C(n) =标称电流的四倍(100°C T c )
- 软电流下降特性,无尾电流
- 对称的,电压过冲
- 栅极电压受到控制(无振动)。没有不必要的设备导通风险,也不需要栅极箝位
- 最高结温 Tvj = 175°C
- 质量符合 JEDEC 标准
优势
- 不需要 VCE(peak)箝位电路
- 适用于单个导通/关断栅极电阻
- 不需要栅极箝位元件
- 无需使用米勒钳位的栅极驱动器
- 减少所需的EMI滤波
- 非常适合并联
图表
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