IGB50N65H5
综述
650 V 50 A IGBT,采用反并联二极管,TO-263 封装
650V 50A 高速开关 TRENCHSTOP™ 5 采用 D2Pak (TO-263) 封装,为硬开关应用提供超高效率,为同类IGBT 产品树立新标杆。该新系列是 IGBT 创新的一个重大突破,以满足市场未来对高效率的需求。
特征描述
- 650 V 击穿电压
- 对比英飞凌“HighSpeed 3”系列
- Q g 系数降低 2.5 倍
- 开关损耗系数降低 2 倍
- VCEsat 降低 200mV
- 采用英飞凌极速硅二极管技术
- 低 C OES/E OSS
- 温和正温度系数 VCEsat
- V f 的温度稳定性
优势
- 具有出色的效率,降低结温和外壳温度,从而提高设备可靠性
- 母线电压可提升 50V,同时不影响可靠性
- 更高的功率密度设计
图表
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