IGB10N60T
综述
英飞凌 600 V 10 A 单 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用 TO263 D2Pak 封装，结合沟槽栅单元和场终止概念，显著改善器件静态和动态性能。在开关和传导损耗之间做出优化，实现最高效率。
特征描述
- 最低 VCEsat 压隆，降低传导损耗
- 低开关损耗
- VCEsat 具备正温度系数，实现轻松并联开关能力
- 高稳健性和温度稳定性
- 低 EMI 排放
- 低栅极电荷
- 参数分布非常紧凑
优势
- 最高效率 – 低传导和开关损耗
- 丰富的 600 V 和 1200 V 产品组合，支持灵活设计
- 器件高可靠性
图表
视频
支持
