先进的硫化氢保护

对于在恶劣环境下运转的应用而言，耐用性决定了功率模块的使用寿命和可靠性。特别是当暴露于硫化氢（H2S）中时，电子元件的寿命会严重受到影响。为了满足相关要求，我们开发出了一项能够轻松集成的保护技术，在不更改标准产品任何功能或性能的同时，在系统设计中实现防硫化氢保护。

英飞凌先进的硫化氢保护技术，能够在硫化氢进入功率模块的任何敏感元件之前，将其阻拦在外，这个方法不但独一无二，效率也很高。其主要特点在于其无人可敌的耐用性、即插即用的特性以及完整的应用覆盖范围，为客户提供了极佳的灵活性。

变频器（VFD）的市场渗透率每年都在增长。如今，变频器已广泛应用于各种不同的工业应用中。在一些特定的领用领域，如造纸、采矿、废水、石化加工以及橡胶业，功率半导体可能会受到腐蚀性气体的影响。

其中，硫化氢是最具威胁的腐蚀性污染物。IGBT模块在运行期间通常会升至高温，加上施加的电压和硫化氢污染，会发生反应生成硫化铜（Cu2S）晶体。

这种导电结构会在陶瓷基板上的DCB沟槽内蔓延，并可能引发短路。IGBT模块过早地发生故障，会导致逆变器的寿命大打折扣。

凭借我们全新的先进硫化氢保护技术，您将能保护您的设备免遭硫化氢腐蚀！这项独一无二的技术能够在硫化氢进入功率模块的任何敏感区域之前，将其阻拦在外。

作为一个真正的即插即用式解决方案，全新的硫化氢保护封装技术十分易于集成。模块所有的电气、热学和机械参数均无需变更，特性和性能也和标准模块一致。因此，面对在恶劣的环境条件下运行的系统，您将能轻松延长其使用寿命。

使用寿命长达20年

我们的 HV-H₂S测试旨在证明IGBT模块可在符合ISA 71.04-2013标准的情况下，在恶劣环境下运行。该测试涵盖了广泛的工业应用，为在恶劣的硫化氢污染下工作的IGBT模块的可靠性评估，提供了一个可量化的方法。在英飞凌硫化氢技术的保护下，与标准模块相比，在同样的HV-H2S测试条件下，IGBT模块未显示出枝晶生长。

因此，根据ISA 71.04标准，在“恶劣（G3）”级别上限条件下，IGBT模块预计可使用20年。

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先进的硫化氢保护技术适用于所有Econo中低功率产品组合，当您在寻找适于在恶劣环境下运行的最佳系统时，这将为您提供极高的灵活性。

硫化氢之专家洞见

硫化氢（H2S）可能导致电子元件故障，这种风险的普遍性远超人们所想。

我们与英飞凌中低功率事业部技术营销负责人Björn Rentemeister进行了谈话。作为硫化氢保护技术方面的专家，他围绕英飞凌新技术所蕴含的创新潜力，与我们分享了他的深入洞见。