车规级IGBT分立式器件
完全符合汽车级标准的产品系列，全面支持各类电机、发电机和功率级
英飞凌提供丰富多样且符合AEC-Q101标准的车用IGBT，电压范围为600到1200 V ，电流高达160 A，专为混动和电动汽车而设计，其IGBT和二极管都经过优化，可以为从低开关频率到超高开关频率的应用提供最佳性能。从D2 PAK和TO-247，到高性能封装（例如：Super-TO-220和Super-TO-247），该产品系列提供丰富的封装选项，通过合适的封装解决方案，来实现更高的电流处理或爬电要求 ，以及标杆级性能。
业内标杆的750V EDT2 IGBT技术由于明显减少了开关和传导损耗，因此，很大程度地改善了高达 470V的直流链电压的汽车应用的能效。加上英飞凌出众的产品质量，逆变器系统的性能和可靠性得到显著提升。
EDT2技术具有非常紧凑的参数分布和正热系数。这简化了并联操作，为最终设计提供了系统灵活性和功率可扩展性。
与成熟的IGBT3相比，采用 EDT2 的产品可以同时具有更高的阻断电压和低20%的饱和电压。由于优化了单元结构，您可以以高速开关。 此外，其坚固可靠的设计可避免闩锁效应，并提供充分的短路保护。
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英飞凌全新TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT可帮助硬开关应用实现超高能效，定义了业界最优IGBT的新标准。该技术可满足未来市场对高能效的要求，堪称IGBT产业界的一场革命。这意味着如果一个系统想实现尽可能高的能效，同时还要降低系统成本、提高可靠性，那么TRENCHSTOP™ 5将是唯一的选择。它极大地减少了开关和导通损耗。
TRENCHSTOP™ 5 AUTO有两种版本可供选择——H5（高速）和F5（最高能效）：
| 关键特性 | 优势 | 应用 |
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IGBT与软恢复发射极二极管的结合进一步降低了导通损耗。此时开关损耗和传导损耗间达到了最佳平衡，实现效率最大化。
| 关键特性 | 优势 | 应用 |
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英飞凌开发的RC驱动IGBT技术采用了单片集成二极管，能够节约电路板空间，从而降低成本。该技术使得IGBT即使在高至175°C的结温条件下也能实现平滑的开关行为和低电磁干扰水平。
| 关键特性 | Benefits | Applications RC-DA < 8kHz | Applications RC-DFA > 5kHz |
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TRENCHSTOP™ 5 AUTO
英飞凌全新TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT可帮助硬开关应用实现超高能效，定义了业界最优IGBT的新标准。该技术可满足未来市场对高能效的要求，堪称IGBT产业界的一场革命。新技术能极大程度上降低开关损耗和传导损耗。如果一个系统想实现尽可能高的能效，同时还要降低系统成本、提高可靠性，TRENCHSTOP™ 5将是唯一的选择。
TRENCHSTOP™ 5 AUTO有两种版本可供选择 – H5（高速）和F5（最高能效）。
| 关键特性 | 优势 | 应用 |
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反向传导驱动和快速驱动
英飞凌开发的RC驱动IGBT技术采用了单片集成二极管，能够节约电路板空间从而降低成本。该技术使得IGBT即使在高至175°C的结温条件下也能实现平滑切换，电磁干扰水平极低。
| 关键特性 | 优势 | 应用 RC-DA < 8kHz |
应用 RC-DFA > 5kHz |
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TRENCHSTOP™ 60TA
IGBT与软恢复发射极二极管的结合进一步降低了导通损耗。此时开关损耗和传导损耗间达到了最佳平衡，实现效率最大化。
| 关键特性 | 优势 | 应用 |
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