IRS23365DM
综述
600 V three-phase gate driver IC with over current protection, enable, fault reporting and integrated bootstrap FET
600 V 三相驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流,采用 MLPQ 7X7 34L 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。
特征描述
- 最多可驱动 6 个 IGBT/MOSFET 功率器件
- 栅极驱动每个通道可提供高达 20 V 的电压
- 集成自举功能
- 过电流保护
- 过温关断
- 先进输入滤波器
- 集成死区时间保护
- 击穿(跨导)保护
- 用于 VCC, VBS 的欠压锁定
- 启用/禁用输入和故障报告
- 可调节故障清除定时
- 独立的逻辑和电源接地
- 3.3 V 输入逻辑兼容
- 容许负瞬态电压高
- 设计用于自举电源
- 全通道匹配传播延迟
- 工作温度范围:-40C 至125C
潜在应用
图表
视频
培训
支持