低边驱动芯片
单沟道和双沟道低边栅极驱动IC用于控制MOSFET和IGBT
EiceDRIVER™低边栅极驱动IC利用结合搭载栅极驱动器技术的低压电路以及先进的0.13µm制程。我们的世界一流制造技术能实现适用于大功率密度应用场合的大电流栅极驱动器，它们采用工业标准DSO-8封装和小巧外形SOT23与WSON封装。
我们提供全面的单低边和双低边栅极驱动IC系列，可灵活选择输出电流、逻辑配置、封装和保护功能，如欠压锁定（UVLO）、集成过流保护（OCP）和真正的差分输入（TDI）等。另外，我们还提供适用于汽车的低边栅极驱动器。
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英飞凌和国际整流器公司（International Rectifier ）数十年的应用专业知识和技术发展凝练出一系列适用于硅和宽带隙功率器件的栅极驱动器 IC,例如 MOSFET、分立式IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 以及 GaN HEMT。我们提供优质的产品系列：电气隔离栅极驱动器, 通过汽车认证的栅极驱动器, 200 V, 500-700 V, 1200 V 电平转换栅极驱动器, 以及非隔离低边驱动器 。
我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。先进的分立式开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其性能和功能。无论是采用分立形式还是置于电源模块中，性能出众的栅极驱动配置对于所有电源开关而言必不可少。
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