IRS4427S 综述 25 V 双低边栅极驱动器 IC 用于IGBT 和 MOSFET的25 V 双低边栅极驱动器 IC,具有典型的 2.3A 散入和 3.3A 散出电流,并采用电平转换技术的8管脚SOIC封装。。也提供 8 引线 PDIP封装。 特征描述 栅极驱动电源范围 6 至 20 V CMOS 施密特 触发输入 两个通道的传播延迟相匹配 输出与输入同相 输出与输入异相(IR4426S) 也提供无铅型号 潜在应用 电动工具 家用电器 家用空调 太阳能系统解决方案 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 图表 指标参数 文件 订单 评估板 软件和工具 仿真工具 视频 An Introduction to Infineon Gate Drivers What is a gate driver? Why use a gate driver? How to use a gate driver? Watch our introduction video and become a gate driver expert. 合作伙伴 培训 如何为IGBT分立器件和模块选择栅极驱动 通过该培训,您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值,如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片,以及如何在实验室中,根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调。 如何选择用于 SiC MOSFET 及 SiC MOSFET 模块的栅极驱动器? 碳化硅 MOSFET 为电力电子领域带来众多机遇。然而,如何通过使用配备合适栅极驱动器的碳化硅 MOSFET 来实现充足的系统效益?本培训将帮助您学习如何计算碳化硅 MOSFET 的栅极电阻参考值,如何依据峰值电流和功率耗散要求来确定合适的栅极驱动 IC,以及如何在实验室环境中根据最坏条件微调栅极电阻值。 硅、碳化硅还是氮化镓?功率器件的正确之选 观看的网络研讨会,了解更多关于硅、碳化硅和氮化镓功率器件在高功率和低功率应用中的技术定位。 Click to see more 包装 支持 联系