IRS2117

综述

600 V single high-side gate driver IC with single input

600 V 高边驱动器 IC,具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。

特征描述

 

  • 专为自举操作设计的浮动栅极驱动器
  • 完全运行时的电压高达 600V
  • 容许负瞬态电压，不受 dV/dt 影响
  • 栅极驱动电源范围：10 V 至 20V
  • 双通道欠压锁定
  • 具有下拉的 CMOS 施密特触发输入
  • 输出与输入同相 (IRS2117 和 IRS21171 )
  • 输出与输入不同相 (IRS2118)

潜在应用

图表
视频

An Introduction to Infineon Gate Drivers

What is a gate driver? Why use a gate driver? How to use a gate driver? Watch our introduction video and become a gate driver expert.

2EDL半桥驱动芯片

EiceDRIVER™ 2EDL是基于绝缘体上硅技术的600伏半桥门级驱动芯片系列, 其内部集成高性能低阻快恢复自举二极管, 适用于需高效率和小体积的各种应用.

Advantages of Infineon SOI Gate Driver Technology

1200 V Silicon-On-Insulators level-shift gate drivers from the market leader. This video demonstrates the advantages of products with Infineon SOI. E.g. Integrated bootstrap diode, Low level-shift losses - saving space and cost.

培训

如何为IGBT分立器件和模块选择栅极驱动

通过该培训，您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值，如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片，以及如何在实验室中，根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调。

如何选择用于 SiC MOSFET 及 SiC MOSFET 模块的栅极驱动器？

碳化硅 MOSFET 为电力电子领域带来众多机遇。然而，如何通过使用配备合适栅极驱动器的碳化硅 MOSFET 来实现充足的系统效益？本培训将帮助您学习如何计算碳化硅 MOSFET 的栅极电阻参考值，如何依据峰值电流和功率耗散要求来确定合适的栅极驱动 IC，以及如何在实验室环境中根据最坏条件微调栅极电阻值。

硅、碳化硅还是氮化镓？功率器件的正确之选

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观看的网络研讨会，了解更多关于硅、碳化硅和氮化镓功率器件在高功率和低功率应用中的技术定位。

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网络研讨会：每一个开关都需要一个驱动器——选择正确的驱动器将取得事半功倍的效果

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