IRS2117

综述

600 V single high-side gate driver IC with single input

600 V 高边驱动器 IC,具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。

特征描述

 

  • 专为自举操作设计的浮动栅极驱动器
  • 完全运行时的电压高达 600V
  • 容许负瞬态电压，不受 dV/dt 影响
  • 栅极驱动电源范围：10 V 至 20V
  • 双通道欠压锁定
  • 具有下拉的 CMOS 施密特触发输入
  • 输出与输入同相 (IRS2117 和 IRS21171 )
  • 输出与输入不同相 (IRS2118)

潜在应用

图表
软件和工具
视频
7:03

An Introduction to Infineon Gate Drivers

What is a gate driver? Why use a gate driver? How to use a gate driver? Watch our introduction video and become a gate driver expert.

8:30

2EDL半桥驱动芯片

EiceDRIVER™ 2EDL是基于绝缘体上硅技术的600伏半桥门级驱动芯片系列, 其内部集成高性能低阻快恢复自举二极管, 适用于需高效率和小体积的各种应用.

2:41

Advantages of Infineon SOI Gate Driver Technology

1200 V Silicon-On-Insulators level-shift gate drivers from the market leader. This video demonstrates the advantages of products with Infineon SOI. E.g. Integrated bootstrap diode, Low level-shift losses - saving space and cost.

培训
58:35

网络研讨会：每一个开关都需要一个驱动器——选择正确的驱动器将取得事半功倍的效果

我们提供诸多电平转换高压栅极驱动器产品组合，采用绝缘体硅片 (SOI) 和结隔离 (JI) 技术。了解英飞凌 SOI 栅极驱动器优势：集成自举二极管，低电平转换损耗，节约空间和成本以及负 VS 稳健性。

支持